Electronic

พานาโซนิคพัฒนาทรานซิสเตอร์ที่มีค่า Breakdown สูง

Submitted by Mr.JoH on Fri, 12/14/2007 - 11:14.
78
vote

พานาโซนิคประกาศพัฒนา ทรานซิสเตอร์ที่มีส่วนกระกอบของ Galiium Nitride (GaN) ซึ่งมีค่า breakdown สูงกว่า 10000 โวลต์ ซึ่งค่า breakdown ดังกล่าวมากกว่าค่าสูงสุดที่เคยมีมากว่า 5 เท่า และสามารถนำไปประยุกต์กับงานที่ต้องใช้ความต่างศักย์สูงมากๆ หรือใช้กับสวิตซ์ที่สูญเสียพลังงานต่ำ

»
Syndicate content